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主(協)辦機關 國家科學及技術委員會

自研自製高階儀器設備與服務平台(108年度辦理情形)

開始於106年09月01日結束於109年12月31日

目前進度

啟動囉
106/09/01
  (第2年 / 4年)
   
   
   
完成了
109/12/31
計畫類別
科技發展
管制級別
部會管制
管考週期
月報

隸屬專案

前瞻基礎建設計畫(數位建設)

計畫摘要

1060885:分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用1.調查市場需求、人才、智財及資料分析2.建立基礎設施,包含機械和電子工作室、高階質譜儀實驗室、高階光電分析儀實驗室等 3.原型機開發
市場調查與分析; 持續基礎設施建置;進行原型機開發委外研究計畫;
原型機1的規劃與設計;
儀器研發服務公司的規劃作業

1060885:分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台1.完成國內自製3D封裝製程曝光機設備驗證2.以3D封裝製程曝光機進行先進3D多功能智慧型晶片異質封裝製程驗證3.完成國內自製原子層蝕刻設備驗證
曝光機系統之智慧調控UV-LED光源模組開發

年度目標

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用
1.完成儀器市場、智財及人才資料分析
2.完善基礎設施工作室,協助發展自研自製高階儀器
3.與產業界洽談原型機商業化,以協助籌設儀器研發服務公司(RSC)
4.針對可商業化的自研自製儀器做市場分析
5.配合三個實驗室,協助發展新儀器
6.促成儀器公司的成立,以達到將原型機商業化

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.完成自研自製物聯網、人工智慧等技術之高階封裝設備 (先進封裝用之曝光設備及蝕刻設備),並以深厚之半導體製程能力協助設備升級至具產業價值
2.建置高階儀器自製設備團隊與環境,推動自製設備研發平台與產學研發聯盟,將自製設備導入先進封裝示範生產線與優勢產業生產場域進行驗證測試,優化自製設備與推廣招標

重要執行成果

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用
1.離子遷移譜儀光游離離子源之設計與組裝。
2.離子遷移譜儀解析版本之電腦模擬與優化。

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.已完成光罩端與晶圓端之機械手臂軟硬體之製作與程式撰寫,前者包含具辨識與定位標誌的光罩櫃及具近接感測器之精密曝光平台,現已可實現光罩之辨識、空間感測、挾取、快速傳遞、精密定位與置放。後者已可使現晶圓之挾取、快速傳遞、尋邊與置放。透過自主開發之IoT輔助對位系統,提升定位精度至10 um以內,成功實現曝光機系統進出料整合控制、高速傳遞與精準對位之計畫目標。
2.開發AI晶片3D封裝技術,已完成主流晶圓厚度30um之TSV封裝開發,另已完成1.5um PI製程,後續進行晶圓接合及薄化測試。
3.已完成電漿光譜即時監控系統(OES)整合工作,另OES即時光譜訊號亦完成整合於系統軟體介面。
4.利用2-STEP蝕刻製程,目前已達成4nm Si Multi-Fins結構,並將結果在3/25成果實地訪查中呈現。

自研自製高階儀器設備與服務平台
108年實際執行趨勢圖
 年累計執行進度(%)  年計畫經費達成率(%)
計畫進度

年累計預定進度(a)(%)

年累計實際進度(b)(%)

進度比較(b-a)(百分點)

 

計畫進度

計畫進度

總累計預定進度(A)(%)

總累計實際進度(B)(%)

總累計進度比較(B-A)百分點

計畫進度

經費使用

年計畫經費(c)(千元)

年累計執行數(d)(千元)

年計畫經費達成率(d/c*100%)(%)

經費使用

經費使用

總計畫經費(C)(千元)

總累積執行數(D)(千元)

總計畫經費達成率(D/C*100%)(%)

經費使用

註1、年計畫經費達成率=截至目前之年累計執行數/本年度年計畫經費*100%
註2、本頁面圖表配合計畫管制週期進行更新調整,若管制週期為季報或半年報,可能出現部分月份為空白之情形。
註3、部分計畫之推動未編列年計畫經費,可能造成年計畫經費達成率為0的情形。

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